对硅碳棒发热元件氧化表面和断口形貌分析表明(见图6)，其在16000C氧化时，发热元件表面主要生成气相产物而挥发，此时主要的氧化过程为:SiC<s)+唤(g)一Si0(g)+CO(g>而断口处除了上述伴有气相产物生成反应外，还生成固态SiOz，其氧化过程主要为:SiC(s)十q(g)一Siq(s)十CO(g>同时硅碳棒发热元件中存在的杂质元素如Na,K,Ca等，在发热元件高温氧化过程中，它们也与氧反应，生成NatO,KZO和Ca0等氧化产物，而这些氧化产物同时又与硅碳棒的氧化产物Si0:反应，生成低熔点的硅酸盐，使氧化产物呈液态，增加了氧在氧化产物中的扩散速度，促进氧化的进行。硅碳棒粒子界面上的氧化，生成高电阻率的氧化物，促使界面电阻增大，由此使界面处发热量增大，温度升高，而温度的升高，又促使氧化加重，最终导致发热元件被烧断。

    硅碳棒发热元件在1600℃保温时，随保温时间的延长，电阻缓慢增加，超过250min以后，电阻急剧增加，至300min时发热元件烧断。发热元件表面以生成气相产物挥发为主，发热元件内部以生成气相和固相氧化物共存为主，这是硅碳棒发热元件在1600℃时失效的主要原因。提高硅碳棒发热元件的纯度和采用表面涂层是提高硅碳棒发热元件使用寿命的主要途径。www.zbqunqiang.cn