素烧温度对硅碳棒的影响素烧过程按其各阶段的性质划分为三个不同的阶段。即结合剂软化及挥发物大量排出阶段、结合剂的焦化阶段、冷却阶段。对素烧后的硅碳棒抗压强度进行分析，如图4所示，从图4中可以发现，当素烧温度到达1 000℃时，两种硅碳棒的抗压强度都趋于稳定，说明硅碳棒的焦化在1 000℃已经彻底完成，而在同等条件下，使用1充料的硅碳棒的抗压强度大于使用2镇充料的硅碳棒的抗压强度，表明1充料优于2"填充料。在200℃以下，沥青呈软化状态，挥发物排出量不大，从300℃左右开始一直到500℃这一阶段挥发物大量排出。挥发物的大量排出与结合剂的焦化，这两个阶段不能截然分开。在500℃以前，一方面大量排出挥发物，另一方面由于结合剂沥青的分解与缩合反应而开始半焦化。在500℃以后，虽然还有一定数量的挥发物排出，但主要是不断提高焦体的焦化程度。生坯素烧达到1 000℃以后，沥青焦化过程已经基本完成。冷却阶段已不属于素烧升温的范围，但在对产品质量的影响上，仍然很重要。由于碳化硅电热元件是由焦炭与碳化硅组成(这两种材料的膨胀系粼嘟很小)，所以一般加快放冷速度不致造成素烧废品。因此选用1 000℃作为素烧温度点，1#为最佳填充料。

    选用1 000℃作为素烧温度点，1#作为填充料的素制品进行烧成。随着烧成温度的升高，硅碳棒电阻率的变化如图5所示，硅碳棒的抗压强度的变化如图6所示。从图中可以发现，一次烧成的电阻率基本高于二次烧成的电阻率，这是由于在对一次烧成后的发热体进行沥青浸渍，二次烧成让次生碳化硅与原碳化硅相互接触成紧密堆积的聚集体，从而降低了硅碳棒的电阻率。一次烧成的抗压强度基本低于二次烧成的抗压强度，原因也是让次生碳化硅与原碳化硅相互接触成紧密堆积的聚集体，从而提高了抗压强度。随着烧成温度的升高，在1 900~2 000℃时，刀-硅碳棒会逐渐向a-硅碳棒转变，a-硅碳棒的电阻率大于刀-硅碳棒的电阻率，所以电阻率呈上升趋势。在1 900℃之前，声硅碳棒没有发生晶型的转变，同时结晶颗粒细小，所以电阻率较低，造成小电阻现象。在2 100℃以后，由于烧成温度过高，造成制品的过烧，声硅碳棒晶型向a-硅碳棒晶型发生彻底转变，产生制品大电阻现象。1 900-2 040℃为碳化硅电热元件烧成的合理区域，在这个温度区域内，碳化硅晶粒开始生长，长大，原碳化硅晶粒也开始长大，相互紧密堆积。同时在供电后期，声硅碳棒部分会逐渐向a-硅碳棒转变，然后烧成的制品，发热体电阻均匀，抗压强度也能达到一定的要求。通过图5和图6的一次和二次的对比，表明一次烧成之后，进行的二次烧成是非常必要的，使制品的性能进一步提高。www.zbqunqiang.cn