A1z03,FeZ03,H3B03对硅碳棒电阻率的影响图5为A1z03,Fe203和H3B03对硅碳棒电阻率的影响。从中可以看出，加人了AIZ03的硅碳棒的电阻率明显下降。随着加人量的增大，电阻率变小，由开始的0.76SZ·cm降低为0.71·cm.产生这种结果的原因主要是由铝及其化合物的本身结构和性质所决定的，铝的价电子层结构是3S23P'，其电离较小，属活泼金属。A13由于高电荷、小半径而具有很强的极化力。铝是缺电子原子，铝的化合物是缺电子分子。A1Z03具有高的熔点和硬度，有多种同质异晶形态，其中r-A12O。又称活性A1203,是一种多孔性物质，容易进人硅碳棒的晶格间隙中，产生杂质离子电导。从而降低了硅碳棒电阻率。当加入Fez03，铁系元素与硅碳棒一起烧成时，它们的离子会进人硅碳棒的晶格间隙或占据晶体结构中正常结点的位置，破坏硅碳棒晶体中质点排列的有序性，引起晶体内周期性热场的畸变，产生点缺陷，形成杂质离子电导。另外，由于硅碳棒自身分解的碳有可能渗入铁系元素的晶格空隙中，形成导电性良好的金属碳化物。对于氧化铁，在碳存在的情况下，发生还原反应:Fez03十C---"Fe0+COz.还原反应产生的Fez+离子不稳定，有可能放出一个电子Fez'Fe3十+e，从而产生电子电导使得加人Fez03后硅碳棒的电阻率急剧下降。如图5中Fez0，的曲线所显示的那样。对于添加了H3B03来说，随着H3B03的加人量增大，硅碳棒的电阻率是逐渐上升的。这主要是因为H3B03的加人导致了S1C硅碳棒内部5102含量的增加。S10:的电阻率远远大于S1C的电阻率，造成晶界空间电荷层对载流子运动产生的阻力比较大，使得载流子运动能力减小，越过晶界的数量也减少，导致传导电流的能力大大减弱，从而使材料的电阻率增大。综合看图5,Fee03对减小硅碳棒的电阻率起到的效果最大，其次为A1z03，而H3B0。的加人却导致了硅碳棒的电阻率的增加。结果表明:当FezO，的含量。为0.5%时，电阻率最小值为0.634S·cm烧结助剂Alz03对硅碳棒密度影响最大，在含量，s为0.3%时，最大密度为2.314x103kg/耐，随着Ale03加人量的增加，其抗折强度也呈增加势;Fee03对其电阻率影响最大，在Fee03含量为0.5%时，最优的电阻率为0.634·cm.此3种烧结助剂中，H3B0。的加人对硅碳棒密度的提高不明显，加人过多反而降低了硅碳棒的密度及抗折强度，并且对电阻率起着负面影响。www.zbqunqiang.cn