这是Si(:为1aa，具备其特点的耐火材料(也有SiGSi系U型硅碳棒，使用温度达到14a0℃)。组成有SiC为100%的U型硅碳棒，也有含有Si的制04.3制法口即乐加入SiC:为10a%的原料和一些添加物，用一般成型或者冷等静压成型、热等压加压型。在中性，还原气氛中，以200a℃左右的温度使其自烧结。含有Si的U型硅碳棒、放入Si熔融浴中或Si气体中进行了处理。用途高价，耐火材料以外的用途多。作为耐火材料，利用高温高强度性的梁等结构材料，利用壁厚、轻质、耐化学药品侵蚀性的匣钵、定位器等。另外，在上述(的硅酸盐结合U型硅碳棒的延长线上，有Si(:含量少于8596.例如SiC.75-36,60%的U型硅碳棒。关于这些U型硅碳棒的用途，特别是用于城市垃圾焚烧炉时，通过混合SiC:.炉渣容易从内壁上剥离，只谈及这些，再多就不说了。

    以前，在确立U型硅碳棒时，关于保护层的形成进行了说明。即使是这样形成保护层的U型硅碳棒，也不能保持永久的寿命，在使用中主要成份的碳化硅被氧化，膨胀，劣化。关于其状况说明如下。如以前说明的那样，U型硅碳棒上形成的保护层在不被破坏的情况下，如果是在保温的条件下使用、可期望得到长期的使用寿命。但是，在实际使用中由于受到各种条件的影响、裂纹进入保护层，发生破坏损伤。其部分的碳化硅没有保护层、处于氧气中时，将被氧化。

    关于碳化硅的氧化性状，可以说有如下二种。其一是形成以前说明的保护层的“保护氧化”，是在U型硅碳棒的制造阶段和初期氧化，氧分压高时发生，形成保护层的氧化。ScCt.a+2qt=s岛cm+qcras.q.)+3q(气)=s.+zcat,其二系为“继续氧化“，是在气氛中氧分压低时发生，即使碳化硅氧化、也不立即生成Si41，而变成以蒸发物迁移的SiO,，在碳化硅表面没有形成保护层的氧化。5iC1+cc=5irr+CO〔气:+qW5iq.1++=SiOr+q1根据上述的二种氧化，就氧分压高时，氧分压低时，及作为参考，就水蒸汽多时的氧化加以说明。www.zbqunqiang.cn