研究了体积分数分别为12%和26/O的游离硅对反应烧结硅碳棒高温强度和断裂韧性的影响。结果表明，当<1330℃时，硅碳棒的高温强度和高温断裂韧性随温度升高而增大，但当温>1330℃时，游离硅会形成液相并导致材料的高温力学性能降低。通过维氏压痕法表征了反应烧结硅碳棒的常温和高温力学性能。同样发现，断裂韧性随温度升高而不断增大，但在1200℃时高温断裂韧性明显降低。这是因为游离硅在1200℃时发生软化，无法阻止裂纹扩展。反应烧结硅碳棒具有优良的抗氧化性能，在1300℃时氧化速率随氧化时间增加逐渐降低。随氧化时间增加，材料氧化后的常温抗折强度呈现出先增加后减小的趋势，因此对反应烧结碳化硅进行微氧化处理可以提高其常温力学性能。但氧化时间较长时，材料的力学性能会受到损害，这是因为当氧化时间较短时，硅碳棒表面形成的二氧化硅具有愈合裂纹作用并有效阻碍裂纹扩展，因此材料在氧化后强度提高。随氧化时间进一步增加，硅碳棒表面形成的裂纹逐渐增多，破坏了氧化膜对基体的保护，因此氧化后强度降低向反应烧结硅碳棒中引人某些第三相可以抑制SiOZ氧化膜开裂，提高材料的抗氧化性能。研究了氧化铝对反应烧结硅碳棒抗氧气/水蒸气性能的影响，发现氧化铝在材料氧化层表面富集并抑制了SiOZ的挥发。随氧化时间增加，添加氧化铝后硅碳棒的质量不断增大，而未添加氧化铝试样的质量则先增大后减小。研究认为，氧化铝的引人减少了非桥接氧原子(Si-O-H)的生成，降低了硅酸盐熔体和水蒸气的反应活性，因此综合提升了材料的抗氧化胜能。制备得到含MoSiZ的反应烧结硅碳棒，研究发现，SiC晶粒和MoSi:晶粒具有良好结合性，含MoSiZ反应烧结硅碳棒材料在1300和1400℃高温氧化时具有更好的质量保持率。传统反应烧结硅碳棒材料经1400℃高温氧化后，由于硅的挥发导致材料的质量损失较严重，且表面出现较多气孔，而MoSiZ相较Si具有更高熔点，因此复合材料在高温氧化后表面未发现明显气孔，材料随氧化时间增加氧化速率逐渐增大并趋向稳定。www.zbqunqiang.cn