磁铁元件尺寸大幅缩减，硅碳棒成功在望这项做法不再以纯半导体技术推动产品定义，而是针对目标系统 k,_身打造的解决方案，此一发展方向是S1C成功在望的关键要素从二极体技术的经验看来，硅碳棒电韶，体末来儿年将以类似方式推出这是重要的下一步，LS1C更能牛二流技术月驾齐驱如上所述，关键要素为:深获肯定的坚固程度。(2)吸引力的成本/效能，实现可评测的系统优点。大量生产能力，依据对系统的r解来推动产品定义，多年来进行丰富深人的研究，主要是为了了解硅碳棒的系统利益。使JJ单极硅碳棒电品体的转换器提升切换频率，大幅缩减磁铁元件的体积和重量。
    依据英飞凌的分析。建构于硅碳棒装置的转换器相较于现有的硅基参考解决力一案，尺寸仪为二分之一，重最则只有25%山于体积及币量大幅缩减。系统成本也，引作低20%以未来几年碳化硅解决方案将扩一展进人其他应用领域，例如业或牵引装置。这是因为yi场力量促使损耗降低，不仅为提升效率，也是为了缩小封装体积,少散热器而求所促成)、如fl 2听>J，硅碳棒已经川于各种高阶及利基解决方案。现今的设计也发挥上述效益，在特定应用领域降低系统成本、未来实作碳化硅解决方案后，会有更多应用受益于整体的损耗降低在此方而，下一项垂要步骤就是采硅碳棒开关、崩溃场强度超出10倍，碳化硅多项特性胜出。为一了解硅和碳化硅解决方案之间的差异，必须明确指出:碳化硅装置属于所谓的宽带隙半导体。硅与硅碳棒材料特性较如图3所示飞快速以及单极的肖特基二极体与场效式碳化硅开关(MOSFET,JFET)的电压范,可延伸超过1 000 V，原因是硅碳棒材料本身的特性:高电压肖特基二极体达成低漏电流的原因，是金属半导体阻障比硅肖特基二极体高两倍相较于硅，单极晶体显得极有吸引力，其具有特定导通电阻，原因是崩溃场强度超出约10倍图4显示不同半导体的最低特定导通电阻，与所需阻断电压的比较(这里仅使用漂移区，基板对电阻的任何影响均忽略不计每条线的端点象征特定半导体在单极组态的可用电庄范围，不含超接面MOSFET。
    硅碳棒电晶体将成为吸引人的替代方案，取代r业功率电子领域现有的IGBT技术。硅碳棒独有的材料特性，可设计无少数载子的单极装置，取代高阻断电压的电荷调变IGBT装置。这项效能主要基于宽带隙提供的高临界场.
    IGBT的损耗限制，由少数载子的动力所造成。而这类少数载子将在MOSFET之中遭到消除。例如硅碳棒 MOSFET已测得100kV/ w s以_L的超高dv/dt斜率)一开始3寸，相较于1 200 V以t泊勺IGBT,硅碳棒晶体的出色动态效能是最重要的优势。不过，鼓近结果显示IGBT技术具有庞大潜能，如英飞凌TRENCHSTOPS技术所示。www.zbqunqiang.cn