A,B两种试样硅碳棒以同一部位显微结构无论是烧结情况、气孔率、聚集体含量、粒度分析等指标来衡量，均以A为好，尤其是烧结情况，有着一定区别，从均匀性来看，一般发热部较为均匀，并且有内圈晶粒致密结合而向外逐渐松散趋势，端部显微结构中晶粒间多数成团状结块聚集，并有裂纹和层裂存在，肯定这些不同的显微结构对其电热性有一定的影响。
    从两种试样硅碳棒对比中，可见显微结构有着明显差别，然而，显微结构在好多方面主要取决于一系列的工艺制造过程。我国目前在烧结中采用Si02做Si化剂，按如下反应进行硅化烧结:Si0:+g CSiC+2 CO个由于硅化剂中的Si0z含气在反应中和二C生成CO气体，而排出，必然要使硅碳棒中开口气孔增加，这样，就降低了硅碳棒的抗氧化能力，而使其寿命缩短，这是我国硅碳棒的寿命提不上来的重要原因。要想使我国的硅碳棒使用寿命有较大幅度的提高，必须采用无氧硅化剂，如硅，其烧结反应可按下式进行:Si+C=SiC即在反应由没有CO气体产生，减少开口气孔，也不会因生产CO而失掉C造成空隙，使硅碳棒致密性增强，提高氧化能力。另外，为防止杂质过多影响导电发热部，应用纯度较高的原料，同时要防止变形，端部使用时发红等弊痛，以延长使用寿命及保证达到予定温度就必须从原料配方，颗粒配比，压型烧结等一系列工艺条件上加以严格控制。www.zbqunqiang.cn