图5为热端硅碳棒晶粒表面生长晶须的形貌，其成分分析结果见表1,2。数据表明，图Sa的晶须中含有少量的碳，而图Sh中晶须处的SiC已完全被氧化生成SiOZ，铁为杂质。文献表明，SiC的抗氧化能力极差，任何温度下都能被氧化而转变成SiOZ，由于氧化过程的膨胀作用，使硅碳棒开裂。SiOZ晶须的长出表明氧已经沿开放的气孔渗透到材料内部，非晶态的SiOZ层结晶成方晶石，从而使在较低温度下SiC表面形成的SiOZ保护层破裂，降低硅碳棒的使用寿命。这说明试验用硅碳棒气孔率较大，消除或减少开放的气孔有助于提高硅碳棒的使用寿命。这也是国内外硅碳棒寿命不同的一个因素。

       (1>硅碳棒用碳化硅陶瓷材料由尺寸均匀的小晶粒及部分大晶粒组成，对晶粒尺寸的统计分布表明，其分布满足正态分布。

       (2)加热200h后断口表面存在微裂纹及针状晶须，该生长物为SiC氧化后形成的SiOz。www.zbqunqiang.cn