硅碳棒在反应区原料中的结晶水和结构水逸出，伴随着化学反应的发生产生了大量的一氧化碳，同时在该区温度已达到了K吸Na等碱金融离子的沸点，K吸Na等碱金属离子大量析出。虽然这些挥发物随排气口大量排出，但反应区这些挥发物的浓度比较大。在该区取腐蚀物样本作光谱分析其成分如下:

       根据该区温度，加热元件可选用有硅碳棒、硅碳棒及铝丝等材料。但一氧化碳在1 200℃以上使铝丝碳化生成碳化铝，因此铝质材料不适合反应区气氛条件。

       硅碳棒发热元件是一种以二硅化铝为基础的发热元件，一般出厂的硅碳棒发热元件其表面均生成一层二氧化硅保护膜。硅碳棒发热元件对气氛是否适应关键看该温度下气氛中介质是否侵蚀二氧化硅保护膜，因为热磷酸对二氧化硅保护膜腐蚀较重，强碱及NazSi03等其有腐蚀作用。因此硅碳棒发热元件不适合反应区气氛条件。

       对于硅碳棒，碱金属易凝结在硅碳棒表面，并与其表面的碳化硅发生反应，以致加速硅碳棒的老化，但选涂防碱涂层的硅碳棒加热元件试用的结果为硅碳棒的损坏与排气口是否通畅有关，如保持排气口通畅则硅碳棒的使用寿命延长，如排气口堵塞则硅碳棒的使用寿命缩短，由此可推断硅碳棒的损坏与腐蚀物在窑内的浓度有关。采取隔离板将加热元件与窑内反应室隔离则发热元损坏速度得以延缓。硅碳棒在反应区损坏的表现为硅碳棒表面附着一层成不规则形状的结晶物，其损坏机理为碱金属与其表面的碳化硅发生反应，在反应区发生下列化学反应:

      DzOs+5C=2DC+3C0

      2C0=C+COz

      COz+Hz0=HZC03

    PzOs+3Hz0=2H3Pq

      H20+C=Hz+CO

      NazO+H}C03=Na zC03+H20

       SiC+Na zC03+Oz=NazSi03+2 COz说明:D代表一个金属元素，来源于烧结的原料硅碳棒发热元件在该区温度及气氛下采取合理的保护措施(表面加防碱涂层、保持排气口通畅、加热室与炉内气氛隔离)使用是合适的。www.zbqunqiang.cn