区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上，同时硅碳棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大，国外工艺技术完全封锁，而国内多晶硅产业起步较晚，对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱二本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线，从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析，在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望区熔用多晶硅材料是区熔硅单晶片的核心原料，其产品纯度要达到13N以上，有“皇冠明珠”之美誉，其产品主要用于电子芯片、大功率整流器件及大功率晶体管等领域。目前区熔硅碳棒的制备技术主要掌握在美国和德国两家多晶硅制造企业，全球制造多晶硅的企业有30多家，而仅有两家公司具备区熔用多晶硅的制造能力。中国现有的巧家多晶硅企业主要以制备太阳级多晶硅为主，此项技术完全处于垄断和封锁阶段。随着我国人工智能、航天科技、自动化控制、大数据以及国防军事电子信息化产业的高速发展，对高纯度的区熔多晶硅依赖程度与日俱增。2019年以来，区熔多晶硅作为国防科技的关键材料受到较大的影响，政府方面大力支持开展相关研究开发工作，重点解决关键原材料的卡脖子环境。现阶段区熔用多晶硅碳棒的制备技术严格封锁，国内外无任何可参考的文献和专利资料查询，导致基础性研究较为薄弱，该产品除纯度要求外，硅碳棒要完整，无裂纹及内部缺陷，技术难点多、难度大。目前区熔用多晶硅材料全部依赖进口，极大制约了我国集成电路、电子元器件产业的长期可持续发展。http://www.zbqunqiang.cn/