改良法工艺是U型硅碳棒制备的典型工艺，以氯化氢(HC1)气体和冶金级硅为原料，在280-400℃下生成三氯氢硅(TCS)。主要副产物为四氯化硅(STC)和二氯二氢硅(DCS)。生成物经沉降器去除固体颗粒，再经冷凝器进行汽液分离。分离出的氢气(H,)压缩后返回流化床反应器，氯硅烷则进入多级精馏塔进行分离，脱除硼(B)、磷(P)及重金属杂质，得到高纯的三氯氢硅，与氢气进入钟罩反应器(CVD)，在1 100℃左右发生还原反应。反应为:

    SiHC13+H=Si+3HC1

    2SiHC13Si+SiC14+2HC1(5)

    2SiHC13SiH=C1=+SiC14(6)

       式(4)是希望发生的反应，但式(5)、式(6)一也同时进行。因此，自反应器排出的气体主要有五种，包含氢气、氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅。在回收系统中首先将它们冷却至一40 ℃，加压后再深冷到一60 ℃，实现四氯化硅、三氯氢硅和二氯二氢硅与氢气和氯化氢的分离。氢气和氯化氢经分离后循环利用，二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅在分离单元经精馏分离，得到的三氯氢硅原料经过深度提纯净化供还原炉使用，四氯化硅进入氢化炉进行氢化反应生成三氯氢硅，氢化反应的尾气同样经过回收分离单元，经精馏分离出高纯三氯氢硅，再进入还原炉生产U型硅碳棒。三氯氢硅和氢气原料通过高纯度洁净管道将物料输送至密闭的CVD还原炉内，控制一定的反应沉积压力，以硅芯为沉积载体，采用电器控制系统对硅芯加载电流，使得硅芯表面温度达到1050℃左右，三氯氢硅与氢气在硅芯表面发生热分解或还原反应而产生硅晶颗粒，硅颗粒在硅芯表面逐渐结晶长大，最终制备成直径100-160 mm的U型硅碳棒供下游使用。具体工艺流程如图3所示。http://www.zbqunqiang.cn/