对于外环硅碳棒，由于无其他硅碳棒阻挡，其直接面向反应器壁面。因此，随着硅碳棒半径的增大，其辐射能耗逐渐增大，且其对流热损失也缓慢增大，见图4。所以随着硅碳棒半径的增大，加热的硅碳棒对外界的热通量一直增大，从而导致其中心温度逐渐增大，即温度梯度逐渐增大,对比图3a,31)和图3<可知，外环硅碳棒中心温度明显高于内环和中环硅碳棒，而中环硅碳棒中心温度明显高于内环硅碳棒，这是因为外环硅碳棒辐射能耗明显高于中环和内环硅碳棒，中环硅碳棒辐射能耗明显高于内环硅碳棒，且中环和外环硅碳棒对流热损失几乎一致，均大于内环硅碳棒对流热损失，见图4。当硅碳棒半径较小时，不同环上硅碳棒的辐射热损失和对流热损失相差不大，从而导致不同环上的硅碳棒中心温度相差不大，如当硅碳棒半径为1ctT，时，内、中和外环中心温度分别为1439,1447和1452K,见图3。随着硅碳棒半径的增大，不同环_L硅碳棒的辐射热损失和对流热损失的差仇逐渐增人(ICI4>致不I司环的硅碳棒中心温度差依逐渐增大。如当tl棒lt.径为4和5wn时，外环硅碳棒中心温ItK分i为:1478,1535,1541K和1473、1572、I598k。http://www.zbqunqiang.cn/