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- 装置用MoSiloxide硅碳棒进行真空脱Na处理
- 装置用MoSiloxide硅碳棒进行真空脱Na处理如图3所示，经1 300℃处理l00 h后，硅碳棒未脱Na试样表面出现一些白色斑点，这些白色斑点是在Na组分自试样内部向外挥发过程中形成的富Na区域，其结构较疏松，并往往存在有微小孔洞.白色斑点作为表面缺陷，严重损害了硅碳棒保护膜的完整高温蟋变
- www.zbqunqiang.cn/show_258.html2021-08-14
- 电热硅碳棒稳定工作时的表面温度(与)和固定表面温度
- 电热硅碳棒稳定工作时的表面温度(与)和固定表面温度 出A与了成反比关系由以上推导的式(4)和(5)可以看出，碳素纤维的发射率(e)对电热硅碳棒稳定工作时的表面温度(与)和固定表面温度(t，)下的升温时间(T)有直接影响.从式(4)可见，稳定工作时的表面温度与碳
- www.zbqunqiang.cn/show_257.html2021-08-13
- 支撑芯对碳素纤维硅碳棒热惯性影响
- 支撑芯对碳素纤维硅碳棒热惯性影响图2为以上样品的热惯性测试结果.由图2可以看出，随通电时间的增加，硅碳棒元件的瞬时温升基本呈二次曲线变化，最初升温60 s内的升温速率较快，而60。之后的升温速度缓慢，逐渐趋向于.稳定值对比相同线型的元件，支撑芯的存在大大降低了元件测试时间范围内的电热温升
- www.zbqunqiang.cn/show_256.html2021-08-10
- 及时检查接线和硅碳棒的阻值是否平衡
- 及时检查接线和硅碳棒的阻值是否平衡按照以上方式进行升温，升温曲线平缓，升温速度均匀，既保护了硅碳棒陶瓷蓄热体性能又缩短了蓄热室氧化炉的升温时间。硅碳棒蓄热室氧化炉升温曲线如图1所示。硅碳棒是半导体材料结构，其电阻值受温度的影响。
- www.zbqunqiang.cn/show_255.html2021-08-08
- 硅碳棒蓄热室氧化炉的控温原理
- 硅碳棒蓄热室氧化炉的控温原理硅碳棒蓄热室氧化炉的温度控制系统是由检测K型热电偶(直径22 mm，外保护套采用耐高温的316L ) , PLC(西「]子300系列)、可控硅控制器、驱动模块以及硅碳棒组成。目标温度可以在HM工上手动输入，输入值传入PLC，成为温控系统的目标温度。
- www.zbqunqiang.cn/show_254.html2021-08-06