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  • 反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒

    2022-02-11 反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒

    影响硅碳棒选择性生长的因素还有很多,例如,反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒形貌.实验中,将制作好催化剂的Si基片放置在石墨舟的凹洞处,再稍倾斜的盖上托盘,只留出一极小的缝隙以便反应气体通过。

  • 刻蚀有矩形凹槽的硅碳棒

    2022-02-08 刻蚀有矩形凹槽的硅碳棒

    首先在刻蚀有矩形凹槽的硅碳棒基片上以机械的方式填充Ni粉作为催化剂,硅碳棒基片上矩形凹槽的尺寸为0.1mmX1mm和0.05mmX1mm,深度均为100m但是,由于矩形凹槽的尺寸较大,深度较深,使用电镀技术己经很难保证在凹槽内填充足够的催化剂。

  • 表征硅碳棒微米柱的结晶质量和应力状态

    2022-02-07 表征硅碳棒微米柱的结晶质量和应力状态

    物质分析中发现,所有相同条件下生长的硅碳棒微米柱,拉曼谱基本相同:除去Si基片峰,硅碳棒微米柱的拉曼峰值出现在795.1和%6etri1,对应于3C-硅碳棒的横向声子峰位和纵向声子峰位,并且除去Si基片峰和

  • 硅碳棒微米柱电子背散射衍射

    2022-01-28 硅碳棒微米柱电子背散射衍射

    在硅碳棒​的生长过程中,由于Si基片与硅碳棒薄膜之间存在8%的热膨胀系数差异,使得在实验结束的降温过程当中,会在生长的硅碳棒薄膜中形成较大的热应力。

  • 反应室气压对硅碳棒微米柱生长的影响

    2022-01-26 反应室气压对硅碳棒微米柱生长的影响

    反应室气压也是影响硅碳棒​微米柱生长的重要因素。实验中,反应室温度为1350 ℃,反应时间仍为1小时,将SiH4和CH4流量分别为3 scan和1 3 sccm,反应室气压分J为10图4-16为不同反应室气压生长出的硅碳棒微米柱断面的SEM图片。

  • 硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成

    2022-01-25 硅碳棒微米柱周围有大量的无定形碳生成

    利用EDS分别对两个微米柱进行分析,如表4-1所示。硅碳棒​分析表明不论是以CH4还是C2H2为碳源生长的薄膜都只含Si, C和Ni三种元素。但表今1的EDS成份分析数据显示以CZH2作为反应气体生长出的微米柱C元素原子百分含量很高

  • 单个硅碳棒微米柱的断面形貌

    2022-01-23 单个硅碳棒微米柱的断面形貌

    生长后的硅碳棒​基片表面形貌如图4-3(a)所示。与图4-1比较发现,生长前后的硅碳棒基片表面形貌差异很大.在生长后的硅碳棒基片表面上,已经完全看不见圆孔的存在,取而代之的是条纹状薄膜的出现。

  • 通过硅碳棒晶须的透射电子选区衍射分析

    2022-01-22 通过硅碳棒晶须的透射电子选区衍射分析

    生长时间对硅碳棒晶须的影响生长时间也是影响硅碳棒晶须生长的重要因素。图3-15为不同时间生长出的硅碳棒晶须表面形貌图.实验中,将H2流量控制为500SiH4和CZHz作为反应气体,流量分别为2和4 scan;反应室总压控制为60 Tort,生长温度Et 11 SO0C.个牛长秦拌与前

  • 生长温度对硅碳棒晶须的影响

    2022-01-21 生长温度对硅碳棒晶须的影响

    图3-13是不同温度下制备的硅碳棒​晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片.在生长过程中,HZ流量保持为SOOsccm-CZHZ和SiH4的流量分别是2.Ssccm和Ssccm.生长时间为20分钟,温度为1050 ℃-1350 ℃,反应室气压控制为Torr

  • H2流量对硅碳棒的影响

    2022-01-20 H2流量对硅碳棒的影响

    明即使是在生长结束以后,硅碳棒金属Ni都没有完全耗尽,表明在整个生长过程中,始终有足量的催化剂。催化剂的多少,直接决定在Si基片上以VLS生长机制合成的是硅碳棒还是硅碳棒薄膜。其生长示意图,如图3-11所示。

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