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  • 采用重结晶工艺生产的硅碳棒

    2022-02-23 采用重结晶工艺生产的硅碳棒

    目前国内硅碳棒​生产厂家采用重结晶工艺生产的硅碳棒热端密度一般低于2.43g.cm,且存在着电阻离散性大、致密度低、使用温度低、使用寿命短等问题。

  • r-30型箱式电炉硅碳棒的改装

    2022-02-22 r-30型箱式电炉硅碳棒的改装

    r-30型高温箱式电炉的硅碳棒共有六矩,炼短由一根 X so和两根J X3= 0的碳化硅棒祖成,采用双星形接法,如图3。这种电煽在使用当中

  • 硅碳棒夹头的改进

    2022-02-21 硅碳棒夹头的改进

    高温电炉在使用中常因不锈钢夹头与硅碳棒接触不良,导致局部发热,加大了电炉nh维修工作量。后改用i毫米厚的铝皮做夹头,但过一段时间后个别夹头胀大,也会导致发热。

  • 卡子打火而烧坏还使硅碳棒报废分析

    2022-02-20 卡子打火而烧坏还使硅碳棒报废分析

    硅碳棒​加热的高温箱式电炉常因接线卡子打火而烧坏,有时还使硅碳棒报废,为此对卡子的改进十分重视。

  • 提高硅碳棒的表面平整度

    2022-02-18 提高硅碳棒的表面平整度

    采用“两步法”外延工艺,成功地将“VLS生长工艺”与“传统CVD工艺”结合,实现了6H-硅碳棒的同质外延生长。

  • 释放硅碳棒与Si基片之间的应力

    2022-02-17 释放硅碳棒与Si基片之间的应力

    以MTS为反应气体,流量为20scan,HZ作为载气,流量固定为500scan,生长温度为1100℃,反应时间为5分钟。生长出的硅碳棒如图6-7所示。

  • 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度

    2022-02-16 多孔硅碳棒的小孔尺寸和密度

    多孔硅碳棒生长研究实验中,将温度控制为1100℃HZ流量为100sccmMTS流量保持为20scan生长时间为1小时,当到达生长温度后,通入MTS和场生长结束后的样品表面形貌如图6一所示。从6-2(a)中非常清晰地看到,在较为平整的薄膜表面形成了许多大小不一的小孔。

  • 传统CVD外延工艺性长的硅碳棒

    2022-02-15 传统CVD外延工艺性长的硅碳棒

    在“两步法”外延工艺生长的硅碳棒X射线倒易空间衍射图谱中(图5-11),第二步“传统CVD”工艺的衍射峰与第一步的“VLS”工艺衍射峰沿横轴(m2e>和纵轴(w)方向分离。

  • VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构

    2022-02-14 VLS机理生长硅碳棒的表面台阶结构

    为了更加清晰地反映出VLS机理生长硅碳棒​的表面台阶结构,我们进一步采用原子力显微镜观察了VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜,其结果如图5-7所示,从表面形貌可见:VLS自组装工艺生长硅碳棒同质外延薄膜呈现出表面条

  • 传统CVD工艺制备硅碳棒薄膜的形貌

    2022-02-13 传统CVD工艺制备硅碳棒薄膜的形貌

    为了进一步显示VLS自组装工艺与传统CVD工艺之间的差异,我们对比研究了传统CVD工艺制备硅碳棒​薄膜的形貌,如图5-5所示。

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