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  • 硅碳棒的测试条件要求比较苛刻

    2022-01-19 硅碳棒的测试条件要求比较苛刻

    上世纪人们在使用SEM分析硅碳棒时,发现了背散射电子衍射现象。由于衍射花样与硅碳棒的晶体结构有关,便利用这些衍射花样研究材料的结构。

  • 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系

    2022-01-16 硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系

    在整个测量过程中,硅碳棒D和探测器支架E的角位置保持固定关系,当H转过e角时,E必须转过20角,即GJE=0.5,这样硅碳棒与计数器连动,常记为e2e事实上,连动关系非常重要,它确保了x射线在硅碳棒上的入射角和反射角始终相等。

  • 汇聚电子束轰击硅碳棒表面

    2022-01-15 汇聚电子束轰击硅碳棒表面

    事实上,汇聚电子束轰击硅碳棒表面时,与硅碳棒表面的物质发生作用,有七种信息产生:背散射电子、二次电子、荧光、特征X射线、俄歇电子等,如图2-6所示。

  • 沉积在硅碳棒基片上形成金属Ni薄膜

    2022-01-14 沉积在硅碳棒基片上形成金属Ni薄膜

    在利用硅碳棒晶须研究VLS生长机理的过程中,我们选用单晶硅碳棒基片作为衬底,金属Ni作为催化剂,合成硅碳棒晶须。

  • 硅碳棒温度的控制主要是用温度自动控制仪来实现

    2022-01-13 硅碳棒温度的控制主要是用温度自动控制仪来实现

    采用低压化学气相沉积(LP硅碳棒​)系统制备硅碳棒。整个系统原理图如图2-1所示。从本质来说,整个系统是一个冷壁低压硅碳棒系统。

  • 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟

    2022-01-12 硅碳棒技术已经逐渐走向成熟

    经过多年的发展,随着人们对硅碳棒技术研究的不断深入,硅碳棒技术已经逐渐走向成熟,目前,硅碳棒技术已经成为制备薄膜的重要手段之一,而为人们所广泛使用。

  • 流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响

    2022-01-11 流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响

    开展了硅碳棒薄膜的vl,s自组装外延生长研究生长硅碳棒微米柱的研究中发现,在高温下,大面积液滴有可能会在基片表面运动,从而导致硅碳棒微米柱的横向生长,形成了大面积的硅碳棒薄膜。

  • 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻

    2022-01-10 硅碳棒单晶生长条件非常苛刻

    但是由于硅碳棒​单晶生长条件非常苛刻,使得单晶硅碳棒依然存在非常多的缺陷,例如:大角晶界,小角晶界,陨石坑,3C夹杂物,大的台阶集束以及大量的微管等等,缺陷的存在严重影响了外延层的质量。

  • 硅碳棒薄膜的同质外延生长

    2022-01-09 硅碳棒薄膜的同质外延生长

    硅碳棒同质外延一般是指在硅碳棒基片上外延生长出与基片结构取向一致的硅碳棒薄膜。在硅碳棒基片上,由于众多缺陷的存在,严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。

  • 硅碳棒薄膜的异质外延生长

    2022-01-05 硅碳棒薄膜的异质外延生长

    硅碳棒​单晶基片不仅制备复杂,同时由于表面许多缺陷的存在,严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。因此,硅碳棒器件很难直接制作在硅碳棒基片上。

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