为了克服半导体热处理炉中MoSi硅碳棒的低温氧化问题，通过添加高N动粘土获得了由MoSi知ide复合材料制成的硅碳棒，考查了脱Na工艺前MoSilnxide硅碳棒使用特性的变化.研究结果表明，脱Na工艺较好地解决了半导体硅碳棒热处理装置中石英玻璃管的失透问题.使硅碳棒的弯曲强度和高Z蠕变特性有了明显地改善.提高了硅碳棒的使用寿命.近年来.与信息技术相关的电子产品快速向轻量化和微型化发展，与之相应的半导体器件的制造装置需要能户阳枣升降温的硅碳棒m,作为硅碳棒用材料的二硅化铂(T3aSi具有一系列优异的性能，能够满足这一使用要求但是，半导体硅碳棒的热处理一般在中低温范围内进行((400  1 200 0C)，二硅化铂材料在该温度范围内抗氧化性能很差，常常因剧烈的氧化作用而发生粉化现象间。严重影响了其使用效果.为了解决这一题,Jia沪从低温氧化机理出发，通过添加粘土制造出具有网络状组织结构的复合材料，其低温抗氧化性能比通常二硅化铝材料提高lOf吝以上但添加粘土后也将存在如下问题:①由于>Q的粘土中含有较多的Na20，高温下使用时Nab()的挥发容易造成半导体热处理装置中的石英玻璃管失透;②高的N啥量对硅碳棒的强度、高温蠕变特性及使用寿命都有不利影响.本文旨在通过脱R'a工艺前后材料特性的比较，讨论Nay()的存在对MoSiloacide硅碳棒使用特性的影响·实验原料为高纯MoSi2粉末和精制铝硅酸盐粘土，平均粒径分别为3.6 , m和0.2 . m.以铝硅酸盐粘土的体积含量为20%的比例配料，混合均匀后，挤压成型直径为4 mm的棒材，在氢气保护气氛中1 400℃保温2h的条件下无压烧结.烧成试样在高真空炉内中1 500℃保温5h进行脱Na处理，而后，采用喷砂工艺将脱Na处理过程中形成的劣质表面膜除去，再利用快速通电加热的方法将试样在l 500℃保温2 min进行二次成膜处理.脱Na下艺后Na含量(二(B)油原来的0.3%左右降至0.015%以下。www.zbqunqiang.cn