采用硅碳棒作加热体.从熔体中生长LiTaO3单晶，其中主要包括以下工艺参数。温度梯度合适的温度梯度是保证硅碳棒成功生长的首要条件，选择温度梯度要满足以下条件:C1)在熔体表面中心区域形成合适的过冷度;(2)硅碳棒生长过程中温度稳定，晶形容易控制，(3)硅碳棒的热应力小，不产生裂纹;(4)不产生组分过冷。本课题选用的轴向温度梯度为:液面上0℃/cm,液面下18℃cm，径向温场均匀对称，热轴心与机械轴心重合。硅碳棒的生长速度硅碳棒的生长面沿其法线方向(轴向)在单位时间内增长的厚度，称为轴向生长速度，它包括机械的引上速度和液面下降速度二部分。硅碳棒的生长速度受温度梯度的制约，为了得到宏观完整的硅碳棒，生长速度有一定的临界值，超过这个值，就会产生组分过冷，出现网络、云丝等缺陷，硅碳棒内应力增大，导致硅碳棒开裂。在本实验中，生长2bmm的硅碳棒，其提拉速度为3mmh,S4Omrn的硅碳棒，提拉速度为2mm/h。硅碳棒的旋转速度硅碳棒的旋转起到搅拌的作用，进一步使原料混合均匀，并同时影响熔体中的传质和传热。转速的快慢直接影响固液界面的形状，平坦的固液界面是生长优质祖酸锉硅碳棒的重要条件，旋转速度快，则固液界面变凹;旋转速度慢，则固液界面变凸。为了保证硅碳棒在平坦的固液界面下生长，生长54mm硅碳棒的合适的旋转速度为12"2Drlmin口生长s20硅碳棒的旋转速度为20一3Ur/nun。以上温度梯度，生长速度和旋转速度等各参数相互合理配合，生长出的Lira几硅碳棒无宏观缺陷。www.zbqunqiang.cn