通过简单的化学还原辅助水热法制备了新型的SiC/Pt/CdSZ异质结纳米硅碳棒，将Pt纳米颗粒锚定在SiC纳米硅碳棒与CdS纳米颗粒的界面上，诱导了电子空穴的产生。对沿着Z形迁移路径转移。进行了一系列表征，以分析催化体系的结构，形态和性能。X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）结果表明，已经成功地合成了具有良好晶体结构的光催化剂。通过透射电子显微镜证明，Pt纳米颗粒在SiC纳米颗粒硅碳棒和CdS纳米颗粒之间的界面处生长。UV-Vis漫反射光谱表明，所制备的Z型异质结样品比原始CdS材料具有更宽的光吸收范围。光致发光光谱和瞬时光电流响应进一步证明，摩尔比最佳的SiC/Pt/CdS纳米硅碳棒样品具有最高的电子-空穴对分离效率。通过控制SiC与CdS的摩尔比，可以有效地调节SiC/Pt纳米硅碳棒表面上CdS的负载量，从而使SiC/Pt/CdS纳米硅碳棒光催化剂达到最佳性能。

    当SiC：CdS=5：1摩尔比时，可以获得最佳的制氢性能，最大的析氢速率达到122.3molh。另外，从扫描电子显微镜，XRD和XPS分析可以看出，经过三个循环的测试，SiC/Pt/CdS光催化剂的形貌和晶体结构基本保持很小，表明SiC/Pt/CdS纳米复合材料可见光在产生氢时具有稳定的结构。通过选择性光沉积技术，在光反应中同时进行A-九大米颗粒的光还原沉积和Mna0a纳米颗粒的光氧化沉积，以证明电子-空穴对的Z型转移机理。实验结果表明，CdS导带上的电子主要参与光催化过程中的还原反应，SiC价带上的空穴更容易发生氧化反应。其中，SiC导带上的电子将与CdS价带上的空隙相互作用。孔重新组合以形成Z型传输路径。因此，提出了在光催化制氢过程中SiC/Pt/CdS纳米硅碳棒催化体系可能的Z型电荷转移路径，以解释制氢活性的增加。该研究为基于SiC纳米硅碳棒的Z型光催化体系的合成提供了新的策略。基于以上分析，SiC/Pt/CdS纳米复合材料具有效率高，成本低，制备容易，结构稳定等优点，具有广阔的商业应用前景。