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2021-09-06 先进的纳米硅碳棒和单晶硬质陶瓷
物理机理方面，变形与破坏机理的复杂性在于影响因素众多，包括硅碳棒晶粒尺寸、晶界结构、特定微纳结构(如位错、纳米孪晶等)，这些因素对变形机理的影响与材料种类相关，对于硅碳棒，尚缺乏系统全面的
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2021-09-01 采用机械成型后的硅碳棒质量情况
基础上吸收了振动成型机、油压机、摩擦压力机的优点，是一种集惯性振动、电控制加压、半干法成型的一种设备。该机采用双面受力和双面高频对撞成型，从而使硅碳棒质量结构均匀，密度高。主要的优点有:&
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2021-08-30 影响硅碳棒制品质量的主要因素
经过5年多的运行，通过不断完善，设备运行良好。生产出的硅碳棒质量高，同时也提高了劳动效率，降低了工人的劳动强度，实现了手工操作向机械化方向转变;另一方面，在节约能源和提高炉体寿命方面也取得了很好的效果。
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2021-08-28 不同成型方式对硅碳棒制品的性能影响
模压成型的保压时间对硅碳棒制品生坯密度的影响由图4可知:随着保压时间的延长，开始时样品密度增加很快，而在50，之后，样品密度增加趋缓。
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2021-08-26 硅碳棒测碳含量时易出现偏差的常见原因分析
碱性非水滴定法硅碳棒测碳含量时易出现偏差的常见原因分析该项目的检测必须严格按照规定的步骤和要求进行，否则，其检测结果就将出现偏差。
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2021-08-14 克服半导体热处理炉中MoSi硅碳棒的低温氧化问题
为了克服半导体热处理炉中MoSi硅碳棒的低温氧化问题，通过添加高N动粘土获得了由MoSi知ide复合材料制成的硅碳棒，考查了脱Na工艺前MoSilnxide硅碳棒使用特性的变化.研究结果表明，脱Na工艺较好地解决了半导体硅碳棒热处
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2021-08-14 实际使用结构相同的小型硅碳棒
用下点弯曲试验测试硅碳棒二次成膜处理和L 30(1℃保温100 h条件下未脱Na和脱Na试样的弯曲强度，跨距为30 mm.采取四点弯曲方法测试两种试样的高温蠕变特性
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2021-08-14 装置用MoSiloxide硅碳棒进行真空脱Na处理
如图3所示，经1 300℃处理l00 h后，硅碳棒未脱Na试样表面出现一些白色斑点，这些白色斑点是在Na组分自试样内部向外挥发过程中形成的富Na区域，其结构较疏松，并往往存在有微小孔洞.白色斑点作为表面缺陷，严重损害了硅碳棒保护膜的完整高温蟋变
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2021-08-10 支撑芯对碳素纤维硅碳棒热惯性影响
图2为以上样品的热惯性测试结果.由图2可以看出，随通电时间的增加，硅碳棒元件的瞬时温升基本呈二次曲线变化，最初升温60 s内的升温速率较快，而60。之后的升温速度缓慢，逐渐趋向于.稳定值对比相同线型的元件，支撑芯的存在大大降低了元件测试时间范围内的
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2021-08-06 硅碳棒蓄热室氧化炉的控温原理
硅碳棒蓄热室氧化炉的温度控制系统是由检测K型热电偶(直径22 mm，外保护套采用耐高温的316L ) , PLC(西「]子300系列)、可控硅控制器、驱动模块以及硅碳棒组成。目标温度可以在HM工上手动输入，输入值传入PLC，成为温控系统的目标温度。
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