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2021-10-14 高强度的温度下使用硅碳棒
自结合硅碳棒通常又称直接结合或反应结合硅碳棒，它是以a一SiC颗粒、金属硅粉和炭粉配料经压制成型，在还原气氛中烧成而制得的。在烧成过程中，金属硅粉与炭粉反应形成硅碳棒微晶直接结合基料。自结合
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2021-10-12 夹头速度对硅碳棒的表面质量有较大影响
硅碳棒精密锻造结果列于表1表中的锻造深度是按下式计算的:侧2 h2sinasin (5一15)。式中E为锻透深度、mm△h为道次压入量，硅碳棒mrna为锤头倾角、度本试验选择的道次压人量为2.5-,5n1rn,最大锻透深度为8.8mm由表1看到
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2021-10-09 硅碳棒的开口气孔率及体积密度
为了确定氮气中氧杂质的影响，对硅碳棒试样在氧含量为2%至1:6%的氮气中于1450℃的烧成进行了研究。由图1可见，随着氮气中氧含量的提高，耐火材料中的N:含量显著下降。这说明含氮结合剂的合成条件有所
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2021-10-07 氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程
随着硅碳棒产业的不断发展，其制备工艺也越来越复杂，性能更加综合化和优越化。在氮化硅结合硅碳棒制备工艺过程中，如何对影响产品质量的因素进行控制，继而确保最终产品的性能，对于生产企业实现质量控制目标是至关重要的。
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2021-09-29 抛光压力对硅碳棒晶片抛光效果的影响
小同抛光压力下硅碳棒晶片的MRR如图6所示，抛光后表面形貌如图7所示。根据图6可知，晶片的MRR随着抛光压力的增大而增大。当抛光压力分别为4 kg,8kg,10 kg时，MRR分别为64 nm/h, 80 nm/h,92 nm/h以及102 nm/h。
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2021-09-27 探索紫外光辅助作用下硅碳棒CMP加工过程
本研究将硅碳棒从化学作用和机械作用相平衡的角度出发，探索紫外光辅助作用下硅碳棒CMP加工过程的最佳加工参数。创新地利用电化学实验探测小同pH值Hz0:浓度、Fez浓度以及紫外光功率对碳化硅晶片表面氧化层生成速率的影响
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2021-09-25 硅碳棒中应无“黑心”
碳化硅质硅碳棒近代一些炼铅、炼锌炉其关键部位主要采用镁铬质与碳化硅质硅碳棒。本文阐述碳化硅质耐火材料。碳化硅质硅碳棒由于化学稳定性好，具有耐高温、高温强度大、导热率高、抗热震性好、耐磨、抗冲刷、不被金属熔体润湿
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2021-09-22 合成硅碳棒是纳米领域研究的热点
发展绿色、高效、可控的制备方法来合成硅碳棒是纳米领域研究的热点，本文利用改良晶种子生长法制备了硅碳棒(AuNRs)，对其形貌进行了表征该方法具有简单、绿色等突出优点
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