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2021-08-28 不同成型方式对硅碳棒制品的性能影响
模压成型的保压时间对硅碳棒制品生坯密度的影响由图4可知:随着保压时间的延长，开始时样品密度增加很快，而在50，之后，样品密度增加趋缓。
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2021-08-26 硅碳棒测碳含量时易出现偏差的常见原因分析
碱性非水滴定法硅碳棒测碳含量时易出现偏差的常见原因分析该项目的检测必须严格按照规定的步骤和要求进行，否则，其检测结果就将出现偏差。
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2021-08-16 检验两种材料制成的硅碳棒的耐久性
如图3所示，硅碳棒经1 300℃处理100 h后，未脱Na试样表面出现一些白色斑点，这些白色斑点是在Na组分自试样内部向外挥发过程中形成的富Na区域，其结构较疏松，并往往存在有微小孔洞.白色斑点作为表面缺陷.严重损害了保护膜的完整性
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2021-08-14 克服半导体热处理炉中MoSi硅碳棒的低温氧化问题
为了克服半导体热处理炉中MoSi硅碳棒的低温氧化问题，通过添加高N动粘土获得了由MoSi知ide复合材料制成的硅碳棒，考查了脱Na工艺前MoSilnxide硅碳棒使用特性的变化.研究结果表明，脱Na工艺较好地解决了半导体硅碳棒热处
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2021-08-14 实际使用结构相同的小型硅碳棒
用下点弯曲试验测试硅碳棒二次成膜处理和L 30(1℃保温100 h条件下未脱Na和脱Na试样的弯曲强度，跨距为30 mm.采取四点弯曲方法测试两种试样的高温蠕变特性
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2021-08-14 装置用MoSiloxide硅碳棒进行真空脱Na处理
如图3所示，经1 300℃处理l00 h后，硅碳棒未脱Na试样表面出现一些白色斑点，这些白色斑点是在Na组分自试样内部向外挥发过程中形成的富Na区域，其结构较疏松，并往往存在有微小孔洞.白色斑点作为表面缺陷，严重损害了硅碳棒保护膜的完整高温蟋变
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2021-08-13 电热硅碳棒稳定工作时的表面温度(与)和固定表面温度
出A与了成反比关系由以上推导的式(4)和(5)可以看出，碳素纤维的发射率(e)对电热硅碳棒稳定工作时的表面温度(与)和固定表面温度(t，)下的升温时间(T)有直接影响.从式(4)可见，稳定工作时的表面温度与碳
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2021-08-10 支撑芯对碳素纤维硅碳棒热惯性影响
图2为以上样品的热惯性测试结果.由图2可以看出，随通电时间的增加，硅碳棒元件的瞬时温升基本呈二次曲线变化，最初升温60 s内的升温速率较快，而60。之后的升温速度缓慢，逐渐趋向于.稳定值对比相同线型的元件，支撑芯的存在大大降低了元件测试时间范围内的
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2021-08-08 及时检查接线和硅碳棒的阻值是否平衡
按照以上方式进行升温，升温曲线平缓，升温速度均匀，既保护了硅碳棒陶瓷蓄热体性能又缩短了蓄热室氧化炉的升温时间。硅碳棒蓄热室氧化炉升温曲线如图1所示。硅碳棒是半导体材料结构，其电阻值受温度的影响。
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2021-08-06 硅碳棒蓄热室氧化炉的控温原理
硅碳棒蓄热室氧化炉的温度控制系统是由检测K型热电偶(直径22 mm，外保护套采用耐高温的316L ) , PLC(西「]子300系列)、可控硅控制器、驱动模块以及硅碳棒组成。目标温度可以在HM工上手动输入，输入值传入PLC，成为温控系统的目标温度。
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