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2022-02-17 释放硅碳棒与Si基片之间的应力
以MTS为反应气体，流量为20scan,HZ作为载气，流量固定为500scan,生长温度为1100℃，反应时间为5分钟。生长出的硅碳棒如图6-7所示。
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2022-02-15 传统CVD外延工艺性长的硅碳棒
在“两步法”外延工艺生长的硅碳棒X射线倒易空间衍射图谱中(图5-11)，第二步“传统CVD”工艺的衍射峰与第一步的“VLS”工艺衍射峰沿横轴(m2e>和纵轴(w)方向分离。
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2022-02-11 反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒
影响硅碳棒选择性生长的因素还有很多，例如，反应气流的变化会影响长条状的硅碳棒形貌.实验中，将制作好催化剂的Si基片放置在石墨舟的凹洞处，再稍倾斜的盖上托盘，只留出一极小的缝隙以便反应气体通过。
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2022-02-07 表征硅碳棒微米柱的结晶质量和应力状态
物质分析中发现，所有相同条件下生长的硅碳棒微米柱，拉曼谱基本相同:除去Si基片峰，硅碳棒微米柱的拉曼峰值出现在795.1和%6etri1，对应于3C-硅碳棒的横向声子峰位和纵向声子峰位，并且除去Si基片峰和
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2022-01-26 反应室气压对硅碳棒微米柱生长的影响
反应室气压也是影响硅碳棒微米柱生长的重要因素。实验中，反应室温度为1350 ℃，反应时间仍为1小时，将SiH4和CH4流量分别为3 scan和1 3 sccm,反应室气压分J为10图4-16为不同反应室气压生长出的硅碳棒微米柱断面的SEM图片。
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2022-01-23 单个硅碳棒微米柱的断面形貌
生长后的硅碳棒基片表面形貌如图4-3(a)所示。与图4-1比较发现，生长前后的硅碳棒基片表面形貌差异很大.在生长后的硅碳棒基片表面上，已经完全看不见圆孔的存在，取而代之的是条纹状薄膜的出现。
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2022-01-21 生长温度对硅碳棒晶须的影响
图3-13是不同温度下制备的硅碳棒晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片.在生长过程中，HZ流量保持为SOOsccm-CZHZ和SiH4的流量分别是2.Ssccm和Ssccm.生长时间为20分钟，温度为1050 ℃-1350 ℃，反应室气压控制为Torr
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