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2022-01-15 汇聚电子束轰击硅碳棒表面
事实上,汇聚电子束轰击硅碳棒表面时,与硅碳棒表面的物质发生作用,有七种信息产生:背散射电子、二次电子、荧光、特征X射线、俄歇电子等,如图2-6所示。
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2022-01-13 硅碳棒温度的控制主要是用温度自动控制仪来实现
采用低压化学气相沉积(LP硅碳棒)系统制备硅碳棒。整个系统原理图如图2-1所示。从本质来说,整个系统是一个冷壁低压硅碳棒系统。
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2022-01-11 流量等反应条件对多孔硅碳棒薄膜生长的影响
开展了硅碳棒薄膜的vl,s自组装外延生长研究生长硅碳棒微米柱的研究中发现,在高温下,大面积液滴有可能会在基片表面运动,从而导致硅碳棒微米柱的横向生长,形成了大面积的硅碳棒薄膜。
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2022-01-09 硅碳棒薄膜的同质外延生长
硅碳棒同质外延一般是指在硅碳棒基片上外延生长出与基片结构取向一致的硅碳棒薄膜。在硅碳棒基片上,由于众多缺陷的存在,严重地影响了硅碳棒材料的电学性质。
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2022-01-04 制备硅碳棒的技术也不断的发展
随着人们对硅碳棒材料认识的不断加深,制备硅碳棒单晶的技术也不断的发展。大多数半导体材料的单晶都能从熔体或者溶液中生长,例如,利用提拉法,可以得到半径很大,质量很高的si单晶。
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2022-01-01 天然的硅碳棒晶体在自然界中几乎不存在
硅碳棒是第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs,InP,GaP等)之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料。
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2021-12-30 碳化硅硅碳棒在尾气处理设备中的具体应用
硅碳棒电加热式尾气处理原理在微化学工艺中会用到两大类工业超纯气体,其一为大宗气体如氢气、氧气、氢气、氮气、氦气。其二为特气如硅烷、磷烷、砷烷、氨气等。根据相关环境标准,有些大宗气体是可以直接排放在大气中的。
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2021-12-28 硅碳棒采用误差控制技术实现温度控制
为了延长硅碳棒使用寿命,电气控制系统采用误差控制技术来实现除气箱内温度控制,通过硅碳棒对除气箱内铝液进行辐射加热,利用热电偶采集加热温度。
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2021-12-22 碳化硅硅碳棒的发展趋势
碳化硅硅碳棒,是以高纯度的绿色SiC为主要原料,经2200℃高温再结晶制成的非金属发热体,最高使用温度为1350℃,其电阻随使用温度和时间而变化。